HGTG20N60A4

Версия для печати Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)

Описание HGTG20N60A4

Структура N-канал
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 70
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8
Управляющее напряжение,В 5.5Мощность макс.,Вт 290
Температурный диапазон,С -55…15
Корпус TO247

Технические характеристики HGTG20N60A4

Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 20A
Current - Collector (Ic) (Max) 70A
Power - Max 290W
Тип входа Standard
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3
Корпус TO-247
Product Change Notification Lead Frame Change 20/Dec/2007
HGTG20N60A4D

600V, SMPS series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

Производитель:
Intersil Corporation
http://www.intersil.com

hgtg20n60a4d.pdf
353.72Kb
9стр.