HGTG20N60A4
Версия для печати Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)Описание HGTG20N60A4
Структура N-канал
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 70
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8
Управляющее напряжение,В 5.5Мощность макс.,Вт 290
Температурный диапазон,С -55…15
Корпус TO247
Технические характеристики HGTG20N60A4
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 20A |
Current - Collector (Ic) (Max) | 70A |
Power - Max | 290W |
Тип входа | Standard |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-247-3 |
Корпус | TO-247 |
Product Change Notification | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
HGTG20N60A4D 600V, SMPS series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Производитель:
|
||