IRG4BC30F
Версия для печати
Транзистор IGBT модуль единичныйТехнические характеристики IRG4BC30F
| Power - Max | 100W |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 31A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 17A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRG4BC30FD IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE (Vces=600V, Vce (on) typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
Производитель:
|
||
