IRG4BC30UD
Версия для печати Транзистор IGBT+D модуль единичный 600V, 23A, 100W (Ultrafast)Технические характеристики IRG4BC30UD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 12A |
Current - Collector (Ic) (Max) | 23A |
Power - Max | 100W |
Тип входа | Standard |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRG4BC30UD IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) Insulated Gate Bipolar Transistor =12a)
Производитель:
|
||