IRG4BC40S

Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный

Технические характеристики IRG4BC40S

Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 31A
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Power - Max 160W
Тип входа Standard
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
IRG4BC40S
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Insulated Gate Bipolar Transistor

Производитель:
International Rectifier
http://www.irf.com

irg4bc40s.pdf
159Kb
8стр.