IRG4PC40UD
Версия для печати
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, Vce(on)=1.72V(typ), P=160W@t=25C, P=65W@t=100C, -55 to +150C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRG4PC40UD | 3 | 421.80 руб. | |
Технические характеристики IRG4PC40UD
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 20A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40A |
| Power - Max | 160W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
|
IRG4PC40UD IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
||
