IRG4PC40UD
Версия для печати Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, Vce(on)=1.72V(typ), P=160W@t=25C, P=65W@t=100C, -55 to +150C)Технические характеристики IRG4PC40UD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 20A |
Current - Collector (Ic) (Max) | 40A |
Power - Max | 160W |
Тип входа | Standard |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
Корпус | TO-247AC |
IRG4PC40UD IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
||