IRG4PC40UD

Версия для печати Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, Vce(on)=1.72V(typ), P=160W@t=25C, P=65W@t=100C, -55 to +150C)

Технические характеристики IRG4PC40UD

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Power - Max 160W
Тип входа Standard
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус TO-247AC
IRG4PC40UD
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Insulated Gate Bipolar Transistor

Производитель:
International Rectifier
http://www.irf.com

irg4pc40ud.pdf
247.33Kb
10стр.