IRG4PC50F
Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичныйТехнические характеристики IRG4PC50F
Power - Max | 200W |
Current - Collector (Ic) (Max) | 70A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 39A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Тип входа | Standard |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AD) |
Корпус | TO-247AD |
IRG4PC50FD IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
||