IRG4PC50FD

Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный

Технические характеристики IRG4PC50FD

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 39A
Current - Collector (Ic) (Max) 70A
Power - Max 200W
Тип входа Standard
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус TO-247AC
IRG4PC50FD
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Insulated Gate Bipolar Transistor

Производитель:
International Rectifier
http://www.irf.com

irg4pc50fd.pdf
214.08Kb
10стр.