IRG4PC50K
Версия для печати
Транзистор IGBT модуль единичныйТехнические характеристики IRG4PC50K
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 30A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 52A |
| Power - Max | 200W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
|
IRG4PC50KD IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
||
