IRG4PC50UD
Версия для печати
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, Vce(on)=1.65V(typ), P=200W@t=25C, P=78W@t=100C, -55 to +150C)Технические характеристики IRG4PC50UD
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 27A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 55A |
| Power - Max | 200W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
|
IRG4PC50UD IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
||
