|
IRG4PC50UDPBF
Версия для печати
Транзистор IGBT+DI (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, Vce(on)=1.65V(typ), P=200W@t=25C, P=78W@t=100C, -55 to +150C).
Описание IRG4PC50UDPBF
Структура N-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 55 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.65 Управляющее напряжение,В 6.0 Мощность макс.,Вт 200 Максимальная частота переключения, кГц 40 Температурный диапазон,С -55…150
Технические характеристики IRG4PC50UDPBF
Lead Free Status / RoHS Status |
Lead free / RoHS Compliant |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) |
600V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic |
2V @ 15V, 27A |
Current - Collector (Ic) (Max) |
55A |
Power - Max |
200W |
Тип входа |
Standard |
Тип монтажа |
Выводной |
Корпус (размер) |
TO-247-3 (TO-247AC) |
Корпус |
TO-247AC |
Транзистор IGBT+DI (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, Vce(on)=1.65V(typ), P=200W@t=25C, P=78W@t=100C, -55 to +150C).
|
|
|