IRG4PF50W
Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHzОписание IRG4PF50W
Корпус TO-247-3
Напряжение К-Э максимальное 900 В
Ток коллектора максимальный при 25°C 51 А
Ток коллектора максимальный при 100°C 28 А
Напряжение насыщения К-Э 2.25 В
Время нарастания 50 нс
Время спада 110 нс
Примечание IGBT Discretes, Hard switching, WARP 30-150 kHz
Технические характеристики IRG4PF50W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 28A |
Current - Collector (Ic) (Max) | 51A |
Power - Max | 200W |
Тип входа | Standard |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
Корпус | TO-247AC |
IRG4PF50WPBF Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
||