IRG4PH30K

Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный N канальный 1200В, 20А, 100Вт

Описание IRG4PH30K

Транзистор IGBT модуль единичный
Напряжение сток/ исток   1200В
Ток стока   20А
Мощность   100Вт
Граничная частота  100кГц
Температура до  175оС 

Технические характеристики IRG4PH30K

Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 4.2V @ 15V, 10A
Current - Collector (Ic) (Max) 20A
Power - Max 100W
Тип входа Standard
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус TO-247AC
IRG4PH30KD
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE (Vces=1200V, Vce (on) typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)

Производитель:
International Rectifier
http://www.irf.com

irg4ph30kd.pdf
212.67Kb
10стр.