IRG4PH30K
Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный N канальный 1200В, 20А, 100ВтОписание IRG4PH30K
Транзистор IGBT модуль единичный
Напряжение сток/ исток 1200В
Ток стока 20А
Мощность 100Вт
Граничная частота 100кГц
Температура до 175оС
Технические характеристики IRG4PH30K
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 4.2V @ 15V, 10A |
Current - Collector (Ic) (Max) | 20A |
Power - Max | 100W |
Тип входа | Standard |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
Корпус | TO-247AC |
IRG4PH30KD IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE (Vces=1200V, Vce (on) typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
Производитель:
|
||