IRG4PSC71UD
Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, Vce(on)=1.67V(typ), P=350W@t=25C, P=140W@t=100C, -55 to +150C)Описание IRG4PSC71UD
Структура N-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 85
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7
Управляющее напряжение,В 6.0
Мощность макс.,Вт 350
Максимальная частота переключения, кГц 40
Температурный диапазон,С -55…150
Корпус Super247
Технические характеристики IRG4PSC71UD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 60A |
Current - Collector (Ic) (Max) | 85A |
Power - Max | 350W |
Тип входа | Standard |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-274AA |
Корпус | SUPER-247 (TO-274AA) |
IRG4PSC71UD IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
||