MTB2P50ET4G
Версия для печати
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| MTB2P50ET4G | 287 | 113.46 руб. | |
Технические характеристики MTB2P50ET4G
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 1A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1183pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
