AT45DB081D-SU

Описание AT45DB081D-SU

Flash память последовательного доступа с минимальным напряжением питания 2.5 В или 2.7 В, идеально подходящая для хранения цифрового аудио, изображений, программного кода и данных. Микросхема поддерживает последовательный интерфейс RapidS для приложений, требующих высоких скоростей передачи данных. 8 650 752 бита памяти организованы в виде 4096 страниц по 256 или 264 байта каждая. В дополнение к основной памяти, AT45DB081D содержит два буфера SRAM памяти по 256/264 байта каждый. Буферы обеспечивают хранение поступающих данных во время перепрограммирования страницы основной памяти. Помимо этого, буферы можно использовать в качестве временной системной памяти, а также для эмуляции EEPROM (с побитной или побайтной перезаписью) благодаря собственному трех-шаговому режиму чтение-модификация-запись. В отличие от традиционной Flash памяти с произвольным доступом посредством нескольких линий адресации и последовательным интерфейсом, устройства DataFlash компании Adesto используют последовательный интерфейс для последовательного доступа к данным. Простой последовательный доступ значительно снижает размер корпуса и число активных выводов микросхемы, упрощает разводку печатной платы, увеличивает надежность системы и минимизирует коммутационные шумы. Микросхемы DataFlash оптимизированы для применения в широком круге промышленных и потребительских приложений, где необходимы большой объем памяти, минимальное число выводов, низкое напряжение питания и пониженное энергопотребление. AT45DB081D работает от единой шины питания в диапазоне напряжений от 2.5 В до 3.6 В или от 2.7 до 3.6 В для функций стирания/записи/чтения. Разрешение доступа к устройству осуществляется посредством вывода Chip Select (CS), а обмен данными - посредством 3-проводного SPI-совместимого интерфейса, включающего выводы Последовательный Вход (SI), Последовательный Выход (SO) и Последовательный Тактовый Сигнал (SCK).