2N7002WT1G
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| 2N7002WT1G (ONSEMI) | 2 | 7.19 |
Технические характеристики 2N7002WT1G
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 310mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 24.5pF @ 20V |
| Power - Max | 280mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-70, SOT-323 |
| Корпус | SC-70-3 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru