BC817
Версия для печати
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГцНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| BC817 (TOP DIODE) | 81600 | 1.26 руб. | |
Описание BC817
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.5 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 40
Технические характеристики BC817
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Power - Max | 250mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
||
