Наименование  | 
						
							 Кол-во 
						 | 
						
							 Цена 
						 | 
				  
|---|---|---|
| BC856B | 41600 | 0.83 | 
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе для SMD монтажа. Применяются в самых широких областях электроники.
Структура P-N-P
Uк-э.макс. -65V
Uкб.макс. -50V
Iк.макс. 100mA
Iк.имп.макс. 200mA
Fгр. 100MHz
Pрасс.макс. 250mW
Cк   4,5pF(тип.)
Шумы  2dB(тип.)..10dB(макс.)
Iк.нач./Iэ.нач.< 15nA / 100nA
Hfe 220..475
Диапазон рабочих температур  -65..+150°С
Маркировка 3B
Параметр  | 
						Значение  | 
					
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant | 
| Transistor Type | PNP | 
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA | 
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V | 
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA | 
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V | 
| Power - Max | 250mW | 
| Frequency - Transition | 100MHz | 
| Тип монтажа | Поверхностный | 
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 
| Корпус | TO-236AB | 
