BC857C
Версия для печати
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| BC857C | 101200 | 1.64 руб. (от 100 шт. 0.82 руб.) | |
Описание BC857C
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе для SMD монтажа. Применяются в самых широких областях электроники.
Uк-э.макс. -45V
Uк-б.макс. -50V
Iк.макс. 100mA
Iк.имп.макс. 200mA
Fгр. 100MHz
Pрасс.макс. 250mW
Cк 4,5pF(тип.)
Шумы 2dB(тип.)..10dB(макс.)
Iк.нач./Iэ.нач. < 15nA / 100nA
Hfe 420..800
Диапазон рабочих температур -65..+150°С
Аналог ~КТ3130
Технические характеристики BC857C
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 250mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
