BSS123LT1G

Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2

Наименование
Кол-во
Цена
BSS123LT1G (ON SEMICONDUCTOR) 416 8.40

Технические характеристики BSS123LT1G

Параметр
Значение
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 100mA, 10V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 170mA
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 20pF @ 25V
Power - Max 225mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
Product Change Notification Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru