CSD16321Q5C

Версия для печати N-канальный силовой mosfet dualcool™ nexfet™

Наименование
Кол-во
Цена
 
CSD16321Q5C 32 Заказ радиодеталей

Технические характеристики CSD16321Q5C

Lead Free Status / RoHS Status Lead free by exemption / RoHS compliant by exemption
Серия NexFET™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 25A, 8V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 100A
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 19nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3100pF @ 12.5V
Power - Max 3.1W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-TDFN Exposed Pad
Корпус 8-SON-EP (5x6)
CSD16321Q5C
MOSFET

N-канальный силовой MOSFET DualCool™ NexFET™

Производитель:
Texas Instruments

CSD16321Q5C.pdf
282.4 Кб