FQP50N06
Версия для печати
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120WНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| FQP50N06 | 800 | 34.54 руб. | |
Описание FQP50N06
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 52.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 120
Крутизна характеристики S,мА/В 40000
Пороговое напряжение на затворе 2.5
Технические характеристики FQP50N06
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | QFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 50A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1540pF @ 25V |
| Power - Max | 120W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220 |
|
FQP50N06 MOSFET 60V N-Channel MOSFET
Производитель:
|
||
