IRF510PBF
Версия для печати
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF510PBF | 80 | 166.85 руб. | |
Технические характеристики IRF510PBF
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V |
| Power - Max | 43W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRF510PBF MOSFET HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
||
