IRF5210

Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C)

Наименование
Кол-во
Цена
IRF5210L 20 Заказ радиодеталей

Технические характеристики IRF5210

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 24A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 40A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 180nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2700pF @ 25V
Power - Max 3.8W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус TO-262

Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru