IRF530

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 R@Vgs=10V, P=90W, -55 to 175C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF530 (INTERNATIONAL RECTIFIER) 80 100.98 руб. 

Технические характеристики IRF530

Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 8.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 14A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 670pF @ 25V
Power - Max 88W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
Серия STripFET™

Аналоги для IRF530

Наименование
Кол-во
Цена
 
BUZ71A 38 95.04 руб. 
КП745Б (ИНТЕГРАЛ) 26 122.40 руб. 
IRF530FP
Мощные полевые МОП транзисторы

N - Channel Enhancement Mode Power Mos Transistor

Производитель:
STMicroelectronics
http://www.st.com

irf530fp.pdf
80.15Kb
5стр.