IRF740AS
Версия для печати
N-канальный 400В 10АТехнические характеристики IRF740AS
| Корпус | D2PAK |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 6A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Power - Max | 3.1W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1030pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
|
IRF740AS Дискретные сигналы 400V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF740ASTRR
Производитель:
|
||
