IRF7807Z

Версия для печати Hexfet power mosfets discrete n-channel

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF7807Z (INTERNATIONAL RECTIFIER) 800 128.52 руб. 

Технические характеристики IRF7807Z

FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.8 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 11A
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 770pF @ 15V
Power - Max 2.5W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO
IRF7807Z
MOSFET

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7807Z.pdf
214.5 Кб