IRF7832

Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=30V, Id=20A@T=25C, Id=16A@T=70C)

Наименование
Кол-во
Цена
IRF7832 (INTERNATIONAL RECTIFIER) 8 189.72

Технические характеристики IRF7832

Параметр
Значение
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 20A
Vgs(th) (Max) @ Id 2.32V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 51nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4310pF @ 15V
Power - Max 2.5W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru