|
|
IRFB38N20DPBF
 Версия для печати
N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=43A@T=25C, Rds=0.054 R@Vgs=10V, P=3.8W).
Технические характеристики IRFB38N20DPBF
| Lead Free Status / RoHS Status |
Lead free / RoHS Compliant |
| Серия |
HEXFET® |
| FET Type |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature |
Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
54 mOhm @ 26A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) |
200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C |
43A |
| Vgs(th) (Max) @ Id |
5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs |
91nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds |
2900pF @ 25V |
| Power - Max |
3.8W |
| Тип монтажа |
Выводной |
| Корпус (размер) |
TO-220-3 |
| Корпус |
TO-220AB |
|
