IRFD120
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3ВтОписание IRFD120
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 1.3 Bт
Напряжение пробоя сток-исток 100V B
Предельное напряжение затвор-исток 20 В
Предельный ток затвора транзистора 0.94 А
Предельная температура 150оС
Ёмкость стока 360 пФ
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии 0.27 Ом
Технические характеристики IRFD120
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 780mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 360pF @ 25V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru