IRFZ34N

N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=29A@T=25C, Id=20A@T=100C, Rds=0.04 R, P=68W, -55 to +175C)

Наименование
Кол-во
Цена
IRFZ34N (INTERNATIONAL RECTIFIER) 53 110.16

Описание IRFZ34N

Конфигурация и полярность N
Максимальное напряжение сток-исток 55 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 26 А
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) 40 мОм
Диапазон номинальных напряжений затвора 10 В
Максимальное напряжение затвора 20 В
Заряд затвора 22.7 нКл
Рассеиваемая мощность 56 Вт
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Корпус TO-220-3

Технические характеристики IRFZ34N

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 29A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 700pF @ 25V
Power - Max 3.8W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус TO-262


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru