IRL530NL

Версия для печати Hexfet power mosfets discrete n-channel

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRL530NL 30 295.68 руб. 

Технические характеристики IRL530NL

FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 17A
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 34nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 800pF @ 25V
Power - Max 3.8W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус TO-262
IRL530NL
MOSFET

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRL530NL.pdf
460.5 Кб