IRLML6302
Версия для печати
Транзистор полевой P-канальный MOSFETНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRLML6302 (HOTTECH) | 69600 | 8.27 руб. | |
Технические характеристики IRLML6302
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 780mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 97pF @ 15V |
| Power - Max | 540mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
|
IRLML6302 MOSFET HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
Производитель:
|
||
