IRLML6402

Транзистор полевой P-канальный MOSFET

Наименование
Кол-во
Цена
IRLML6402 (HOTTECH) 256000 5.90

Описание IRLML6402

Силовой транзистор Р- канальный.

Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: P
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 1.3 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 20V B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 4.5 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 3.7 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.065 Ом

Технические характеристики IRLML6402

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.7A
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 633pF @ 10V
Power - Max 1.3W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус Micro3™/SOT-23


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru