IRLR120N

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRLR120N 40 Заказ радиодеталей

Технические характеристики IRLR120N

FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 10A
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 20nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 440pF @ 25V
Power - Max 48W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak
IRLR120N

100V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package

Производитель:
International Rectifier
http://www.irf.com

irlr120n[1].pdf
175.74Kb
10стр.