IRLR2905
Версия для печати
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, P=110W, -55 to +175C), логический уровень переключения.Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRLR2905 | 1920 | 21.85 руб. | |
Описание IRLR2905
N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с логическим уровнем управления.
Максимальный ток стока 42А
Максимальное напряжение сток-исток 55V
Сопротивление сток-исток (откр.) <0,027 om
Максимальная мощность рассеивания 110W
Допустимое напряжение на затворе +-16V
Пороговое напряжение на затворе +1..+2V
Ток утечки затвора < 0,1 uA
Ток утечки стока (закр.) < 25uA
Время включения/выключения 11/26nS
Время восстановления диода 80nS (тип.)
Входная/выходная ёмкость 1700/400pF (тип.)
Корпуc D-pak
Диапазон рабочих температур -55..+175oC
Технические характеристики IRLR2905
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 36A |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
|
IRLR2905 N-канальные транзисторные модули 55V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package
Производитель:
|
||
