MJD112G

Версия для печати

Наименование
Кол-во
Цена
 
MJD112G 60 Заказ радиодеталей

Описание MJD112G

TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK

Технические характеристики MJD112G

Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max) 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Power - Max 1.75W
Frequency - Transition 25MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус DPAK-3