2N7002K
Версия для печати
N-channel enhancement mode field effect transistorНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| 2N7002K | 15440 | 1.16 руб. | |
Технические характеристики 2N7002K
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 115mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Power - Max | 350mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
|
2N7002K Полевые N-канальные транзисторы N-channel 60-v (d-s) Mosfet
Производитель:
|
||
