2N7002LT1G
Версия для печати
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| 2N7002LT1G (ON SEMICONDUCTOR) | 134240 | 2.52 руб. | |
Технические характеристики 2N7002LT1G
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 115mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Power - Max | 225mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Possible Adhesion Issue 11/July/2008 Wire Change for SOT23 Pkg 26/May |
|
2N7002L N-канальные транзисторные модули Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N-Channel Также в этом файле: 2N7002LT1G
Производитель:
|
||
