2SJ516

Версия для печати Биполярный транзистор

Наименование
Кол-во
Цена
 
2SJ516 (TOSHIBA) 8 1 058.76 руб. 

Технические характеристики 2SJ516

Корпус TO-220NIS
Корпус (размер) 2-10R1B
Power - Max 35W
Тип монтажа Выводной
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1120pF @ 10V
Gate Charge (Qg) @ Vgs 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 3A, 10V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
2SJ516
Универсальные биполярные PNP транзисторы

P Channep Mos Type (high Speed, High Current Switching, Chopper Regulator, Dc-dc Converter and Motor Drive Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
http://www.semicon.toshiba.co.jp

2sj516.pdf
287.05Kb
5стр.