BC847BLT1

Версия для печати Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -55 to +150C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
BC847BLT1 (ARK) 25 1.58 руб. 

Технические характеристики BC847BLT1

Корпус SOT-23-3
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа Поверхностный
Frequency - Transition 100MHz
Power - Max 225mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Transistor Type NPN
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
BC8xxxLTx

General Purpose Transistors NPN Silicon

Также в этом файле: BC847BLT1

Производитель:
ON Semiconductor
http://www.onsemi.com

bc8xxxltx.pdf
93.81Kb
8стр.