BS170

Версия для печати Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт

Наименование
Кол-во
Цена
 
BS170 (FAIRCHILD) 400 24.48 руб. 

Описание BS170

Транзистор N-канальный полевой
Напряжение сток -исток  60В
Ток  стока  500 (1200 имп.) мА
Мощность до  830Вт
Диапазон температур - 55 ... 150оС
Корпус  ТО - 92 

Технические характеристики BS170

Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 200mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 500mA
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 40pF @ 10V
Power - Max 830mW
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус TO-92-3
Product Change Notification LTB Notification 08/Jan/2008
BS170P
N-канальные транзисторные модули

N-channel Enhancement Mode Vertical Dmos Fet

Производитель:
Zetex Semiconductors
http://www.zetex.com

bs170p.pdf
25.75Kb
1стр.