FDN337N

N-channel logic level enhancement mode field effect transistor

Наименование
Кол-во
Цена
FDN337N 8400 4.26

Технические характеристики FDN337N

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 2.2A
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 300pF @ 10V
Power - Max 460mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус 3-SSOT
Product Change Notification Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008

Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru