IRF1010N
Версия для печати
Транзистор полевой N-MOS 55V, 72A, 130WНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF1010N (INTERNATIONAL RECTIFIER) | 400 | 158.76 руб. | |
Технические характеристики IRF1010N
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 85A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 43A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3210pF @ 25V |
| Power - Max | 180W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
|
IRF1010NS N-канальные транзисторные модули HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF1010NS
Производитель:
|
||
