IRF2807S
Версия для печати
Транзистор полевой N-канальный MOSFETНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF2807S | 35 | 244.20 руб. | |
Технические характеристики IRF2807S
| Корпус | D2PAK |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Power - Max | 230W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3820pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 82A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 43A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
|
IRF2807L N-канальные транзисторные модули HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF2807S
Производитель:
|
||
