IRF3205
Версия для печати Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
IRF3205 | 4006 | 28.52 руб. | |
Описание IRF3205
Мощный N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом.
Технические характеристики IRF3205
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 62A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 110A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 146nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3247pF @ 25V |
Power - Max | 200W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
Корпус | TO-262 |
IRF3205Z Дискретные сигналы HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF3205ZL, IRF3205ZS
Производитель:
|
||