IRF5305PBF
Версия для печати
Силовой МОП-Транзистор P-канальный Vси = -55 В, Rоткр = 0.06 Ом, Id(25°C) = -31AНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF5305PBF | 768 | 61.07 руб. | |
Технические характеристики IRF5305PBF
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 16A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 31A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Power - Max | 110W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
