IRF640N
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, P=150W, -55 to 175C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| IRF640N | 1014 | 106.56 |
| IRF640NPBF (INFINEON) | 1560 | 176.34 |
| IRF640NS | 479 | 66.60 |
Описание IRF640N
N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Максимальный ток стока 18А
Максимальное напряжение сток-исток 200V
Сопротивление сток-исток (откр.) <0,15 om (тип. 0,48 om)
Максимальная мощность рассеивания 150W
Допустимое напряжение на затворе +-20V
Пороговое напряжение на затворе +2..+4V
Ток утечки затвора < 0,1 uA
Ток утечки стока (закр.) < 1 uA
Время включения/выключения 10/23nS (тип.)
Время восстановления диода 167nS (тип.)
Корпус IRF640N TO-220
Диапазон рабочих температур-55..+175oC
Аналог КП750А
Технические характеристики IRF640N
Параметр |
Значение |
|---|---|
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 11A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 67nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1160pF @ 25V |
| Power - Max | 150W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru