IRF7205
Версия для печати
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (Vds=30V, Id=4.6A@t=25C, Id=3.7A@t=70C, Rds=70 mOm, P=2.5W, -55 to 150C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF7205 | 2120 | 19.12 руб. | |
Технические характеристики IRF7205
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 4.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 870pF @ 10V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
|
IRF7205 P-канальные транзисторные модули Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
||
