IRF730

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF730 152 116.16 руб. 

Описание IRF730

N-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Основные характеристики IRF730:
Максимальный ток стока  5,5А
Максимальное напряжение сток-исток  400V
Сопротивление сток-исток (откр.)  <1,0 om
Максимальная мощность рассеивания  75W
Допустимое напряжение на затворе  +-20V
Пороговое напряжение на затворе  +2..+4V (+2..+4,5V)
Ток утечки затвора < 0,1 uAТок утечки стока (закр.) < 25 uA
Время включения/выключения  10/20nS (тип.)
Время восстановления диода 370nS (тип.)
Корпус  TO-220
Диапазон рабочих температур  -55..+150oC

Технические характеристики IRF730

Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 3.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 5.5A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 700pF @ 25V
Power - Max 74W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB

Аналоги для IRF730

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF720 (ВЗПП) 8 55.08 руб. 
IRF730

N - Channel Powermesh Mosfet

Производитель:
STMicroelectronics
http://www.st.com

irf730.pdf
96.24Kb
8стр.